فا   |   En
ورود به سایت
مشاهده‌ مشخصات مقاله

يک سلول SRAM جديد آگاه از صفر با حاشيه نويز ايستاي خواندن آزاد براي حافظه هاي نهان با تراکم بالا و توان مصرفي کم

نویسنده (ها)
  • آرش عزيزي مزرعه
  • محمد تقي منظوري
  • محمد صادق حاج محمدي
  • علي مهرپرور
مربوط به کنفرانس چهاردهمین کنفرانس ملی سالانه انجمن کامپیوتر ایران
چکیده بر مبناي مشاهدي اين واقعيت که اکثر دسترسي ه ايي که توسط پردازنده به حافظه نهان انجام مي شود منجر به خواندن يا نوشتن بيت ۰ مي شوند و همچنين بيشتر داده ها يي که در حافظه نهان مقيم هستند بيت هاي صفرهستند، دراين مقاله يک سلول پنج ترانزيستوري SRAM براي کاربرد ها با تراکم بسيار بالا و توان مصرفي کم ارائه شده است. اين سلول جديد داده خود را با استفاده از جريان هاي نشتي ترانزيستورها و مسير فيدبک مثبت بدون استفاده از سيکل هاي تازه سازي نگهداري مي کند. اين سلول جديد در طول عمل کرد خود از يک Word-Line و يک Bit-Line و يک خط کنترل خواندن اضافي استفاده مي کند. سلول جديد در قوانين طراحي Layout يکسان بدون اينکه شامل سربار کارايي بشود ۱۷ درصد مساحت کمتري را نسبت به سلول شش ترانزيستوري پايه اشغال مي کند . شبيه سازي هاي انجام شده در تکنولوژي 65nm نشان مي دهد که اين سلول به درستي عمل مي کند و متوسط توان مصرفي پوياي آن در هر دسترسي 30 درصد از سلول شش ترانزيستوري پايه کمتر است.
قیمت
  • برای اعضای سایت : ۱٠٠,٠٠٠ ریال
  • برای دانشجویان عضو انجمن : ۲٠,٠٠٠ ریال
  • برای اعضای عادی انجمن : ۴٠,٠٠٠ ریال

خرید مقاله