مشاهده مشخصات مقاله
بررسی تاثیر افزایش زیرباند در مدل‌سازی ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله‌کربنی
|
نویسنده (ها) |
|
|
مربوط به کنفرانس |
بیست و پنجمین کنفرانس بین‌المللی انجمن کامپیوتر ایران |
|
چکیده |
با کاهش سایز تکنولوژی CMOS و افزایش چالش‌ها، نانولوله‌ها به‌دلیل ویژگی‌های الکتریکی، حرارتی و مکانیکی موردتوجه قرار گرفتند. بدین منظور، مدل‌سازی و شبیه‌سازی این نوع ترانزیستورها با هدف مطالعه رفتار نانولوله‌ها و درک مدارهای بر پایه این نوع ترانزیستور اهمیت می‌یابد. در اين مقاله مدل متراکم مداری دانشگاه استنفورد برای ترانزیستورهای تک‌دیواره مبتنی بر نانولوله‌کربنی توسعه داده شده است. در مدل پیشنهادی، برای مشخصه جریان-ولتاژ سه زیرباند اول در نظر گرفته شده است. در این مدل، غیرایده‌آل‌هایی مانند اثرات کوانتومی، پراکندگی فونون صوتی/نوری و پراکندگی الاستیک در ناحیه‌ی کانال، مقاومت سورس/درین، مقاومت سد شاتکی، خازن‌های پارازیتی گیت، و اثر پوششی ناشی از نانولوله‌های موازی برای CNFET با چند نانولوله درنظر گرفته شده است. پیاده‌سازی این مدل توسط HSPICE انجام شده است و برای کاربردهای آنالوگ و دیجیتال مناسب است. مدل پیشنهادی ارائه شده برای ترانزیستورهای نانولوله با قطر نانولوله بزرگ‌تر از 3 نانومتر و کاربردهایی که نیاز به سرعت بالاتر دارند مناسب است. این مدل به ازای درنظرگرفتن ولتاژ منبع تغذیه بالاتر از 8/2 ولت، در مقایسه با مدل دو زیرباندی جریان بالاتری به‌دست می‌دهد. |
|
قیمت |
-
برای اعضای سایت : ۱٠٠,٠٠٠ ریال
-
برای دانشجویان عضو انجمن : ۲٠,٠٠٠ ریال
-
برای اعضای عادی انجمن : ۴٠,٠٠٠ ریال
|
خرید مقاله
|
|
.gif){kind=icon}