مشاهده مشخصات مقاله
طراحي و بهينه سازي حسگر اندازه گيري تمام ديجيتال تغييرات فرآيند ساخت و سالمندي
|
نویسنده (ها) |
-
زهرا خجسته
-
حسین کریمیان علی داش
|
|
مربوط به کنفرانس |
بیست و چهارمین کنفرانس ملی سالانه انجمن کامپیوتر ایران |
|
چکیده |
با کوچک‌سازي اندازه‌ي ترانزيستورهاي CMOS و پيدايش تکنولوژي‌هاي ميکرومتري، تغييرات فرآيند ساخت به‌عنوان يک عامل تاثير گذار بر بازده ساخت، عدم تطابق در مدار و محدوديت‌هاي کارايي مورد توجه طراحان قرار گرفته است. از طرفي کاهش کارايي ترانزيستورها با افزايش زمانِ کارکرد آن‌ها، يکي ديگر از معيارهاي تغييرپذيري است. يکي از معروف‌ترين سازوکارهاي تنزل ولتاژ آستانه در ترانزيستورها ناپايداري حاصل از دما و باياس است که به‌عنوان مهم‌ترين پديده در سالمندي مدار شناخته مي‌شود. براي مقابله با اين دو چالش رويکردهاي انطباقي در مرحله پس از ساخت نيازمند معماري نظارت کننده براي نمونه برداري و اندازه‌گيري از PV و BTI هستند. در اين مقاله براساس وابستگي بين تاخير و ولتاژ آستانه ترانزيستورهاي MOS دو معماري اندازه‌گيري و نظارت بر سالمندي و تغييرات فرآيند ساخت براي تکنولوژي nm32 با شبيه‌سازي دقيق ارائه مي‌شود که تمام ديجيتال بوده و به تجهيزات بيرون از تراشه نيازمند نيست. با اندازه‌گيري تاخير در راستاي يک زنجيره از ترانزيستورهاي گذر در دو حسگر مجزا براي nMOS ها و pMOS ها و با تکيه بر مفهوم «تقويت تغييرات» اثرات نوسان فرآيند ساخت و سالمندي تحت بررسي قرار مي‌گيرند. |
|
قیمت |
-
برای اعضای سایت : ۱٠٠,٠٠٠ ریال
-
برای دانشجویان عضو انجمن : ۲٠,٠٠٠ ریال
-
برای اعضای عادی انجمن : ۴٠,٠٠٠ ریال
|
خرید مقاله
|
|
.gif){kind=icon}