مشاهده مشخصات مقاله
بهبود مقاومت ساختار‌هاي لچ در برابر خطاي نرم با تنظيم ظرفيت خازن‌ها در تکنولوژي FinFET
|
نویسنده (ها) |
-
بابک بهبودی فر
-
راهبه نیارکی اصلی
|
|
مربوط به کنفرانس |
بیست و چهارمین کنفرانس ملی سالانه انجمن کامپیوتر ایران |
|
چکیده |
با کاهش روز‌افزون ابعاد تکنولوژي و نيز ولتاژ‌هاي تغذيه مشکلاتي نظير افزايش نرخ خطاي نرم و جريان‌هاي نشتي پيش مي‌آيند که کارايي مدار‌هاي ديجيتال مبتني بر تکنولوژي CMOS را به طرز چشمگيري کاهش مي‌دهند. در سال‌هاي اخير تکنولوژي FinFET براي حل مشکل جريان‌هاي نشتي خصوصا در ابعاد زير 25 نانومتر پيشنهاد شده است. در اين مقاله به بررسي و مقايسه ساختار‌هاي لچ مقاوم در تکنولوژي‌هاي CMOS و FinFET پرداخته شده است. ساختار‌هاي لچ درتکنولوژي FinFET اگرچه از لحاظ پارامتر‌هاي عملکردي مانند توان و تاخير وضعيت به مراتب بهتري نسبت به تکنولوژي CMOS دارند اما تکنولوژي CMOS از لحاظ مقاومت در برابر خطاي نرم عملکرد بهتري را از خود نشان مي‌دهد. لذا در اين مقاله راهکاري براي بهبود کيفيت مقاومت ساختار‌هاي لچ از طريق مهندسي افزاره در تکنولوژي FinFET ارائه شده است. در اين روش با افزايش ظرفيت خازن‌ها مقاومت گره‌هاي حساس مدار در برابر خطاي نرم افزايش مي‌يابد. نتايج شبيه‌سازي‌ها نشان مي‌دهد ساختار‌هاي بهينه هم‌چنان برتري خود را از نظر پارامتر‌هاي عملکردي نسبت به ساختار‌هاي مشابه در تکنولوژي CMOS حفظ مي‌کنند. |
|
قیمت |
-
برای اعضای سایت : ۱٠٠,٠٠٠ ریال
-
برای دانشجویان عضو انجمن : ۲٠,٠٠٠ ریال
-
برای اعضای عادی انجمن : ۴٠,٠٠٠ ریال
|
خرید مقاله
|
|
.gif){kind=icon}