مشاهده مشخصات مقاله
يک سلول SRAM جديد آگاه از صفر با حاشيه نويز ايستاي خواندن آزاد براي حافظه هاي نهان با تراکم بالا و توان مصرفي کم
|
Authors |
-
آرش عزيزي مزرعه
-
محمد تقي منظوري
-
محمد صادق حاج محمدي
-
علي مهرپرور
|
|
Conference |
چهاردهمین کنفرانس ملی سالانه انجمن کامپیوتر ایران |
|
Abstract |
بر مبناي مشاهدي اين واقعيت که اکثر دسترسي ه ايي که
توسط پردازنده به حافظه نهان انجام مي شود منجر به خواندن يا
نوشتن بيت ۰ مي شوند و همچنين بيشتر داده ها يي که در حافظه
نهان مقيم هستند بيت هاي صفرهستند، دراين مقاله يک سلول پنج ترانزيستوري SRAM براي کاربرد ها با تراکم بسيار بالا و توان مصرفي کم ارائه شده است. اين سلول جديد داده خود را با استفاده از جريان
هاي نشتي ترانزيستورها و مسير فيدبک مثبت بدون استفاده از سيکل
هاي تازه سازي نگهداري مي کند. اين سلول جديد در طول عمل کرد خود از يک Word-Line و يک Bit-Line و يک خط کنترل خواندن اضافي استفاده مي کند. سلول جديد در قوانين طراحي Layout يکسان بدون اينکه شامل سربار کارايي بشود ۱۷ درصد مساحت کمتري را
نسبت به سلول شش ترانزيستوري پايه اشغال مي کند . شبيه سازي هاي انجام شده در تکنولوژي 65nm نشان مي دهد که اين سلول به درستي عمل مي کند و متوسط توان مصرفي پوياي آن در هر دسترسي 30 درصد از سلول شش ترانزيستوري پايه کمتر است. |
|
قیمت |
-
برای اعضای سایت : 100,000 Rial
-
برای دانشجویان عضو انجمن : 20,000 Rial
-
برای اعضای عادی انجمن : 40,000 Rial
|
خرید مقاله
|
|
.gif){kind=icon}