افزایش طولعمر حافظهی نهان سطح آخر غیرفرار با کمک بلوکهای ذخیره
تکنولوژی حافظههای غيرفرار همچون STT-RAM، دارای چگالی سلول بالا بوده و همچنين توان نشتی تقريبا صفر دارند. در نتیجه میتوانند به عنوان يک جايگزين مناسب برای حافظههای نهان متداول امروزی همچون SRAM، در نظر گرفته شوند. در مقابل مزایای ذکر شده، این حافظهها دارای قابلیت تحمل نوشتن محدود هستند که میتواند منجر به طولعمر پايين آنها شود. در اين مقاله يک راهکار برای افزايش طولعمر اين نوع حافظهها ارائه ميشود که مبتنی بر اضافه کردن بلوکهای ذخيره به ازاء هر مجموعه از حافظهی نهان است. با خرابی یک بلوک از یک مجموعه، راهکار پيشنهادی به صورت هوشمند و بدون تاثیر منفی بر کارایی سیستم، بلوک خراب را از آن مجموعه خارج کرده و یک بلوک ذخيره را به آن مجموعه اضافه ميکند.
|